Забенькин Олег Николаевич (RU)

Изобретение может быть использовано в системах лазерной локации, обнаружения лазерного излучения, ИК-спектрометрии, многоспектральных ВОЛС, а также нового поколения систем ночного видения. Для изготовления фотоприемника эпитаксиальную пластину n-InP/n-In0,53 Ga0,47 As/n+-InP, содержащую эпитаксиальные слои n-InP/n-In0,53 Ga0,47 As и подложку n+-InP, покрывают пленкой нитрида кремния как со стороны...