Уфимцев В.Б.

 Использование: в технологии полупроводниковых материалов. Сущность изобретения: гетероструктура на основе арсенида-антимонида-висмутида индия включает эпитаксильный слой, содержащий индий, мышьяк, сурьму и висмут при следующем соотношении компонентов, ат.%: индий 50, сурьма 44 - 46, висмут 0,3 - 0,5 и мышьяк - остальное, и подложку антимонида индия. Новым является наличие второго эпитакси...

 Шихта с размером частиц 1 - 500 мкм, содержащая порошки алюминия, магния и одного или более других легирующих компонентов подвергается высокоэнергетической механической обработке в инертной атмосфере. Расход энергии на механическую обработку составляет 106 - 107 кДж/кг шихты, а локальная мощность равна 104 - 105 кВт/кг шихты, при этом механическую обработку ведут до получения композиционн...