PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Александров Петр Анатольевич (RU)

Изобретатель Александров Петр Анатольевич (RU) является автором следующих патентов:

Способ рафинирования металлов

Способ рафинирования металлов

Изобретение относится к способу рафинирования благородных металлов и оно может быть использовано для увеличения степени извлечения благородных металлов из сплавов и их чистоты. Техническим результатом является создание способа рафинирования материала, содержащего благородные металлы к наиболее полному извлечению их со сверхвысокой чистотой. Способ рафинирования благородных металлов включает распла...

2318886

Композиционный керамический материал на основе сиалона и способ получения изделий

Композиционный керамический материал на основе сиалона и способ получения изделий

Предлагаемая группа изобретений относится к композиционному керамическому материалу на основе сиалона и способу получения из него изделий, которые могут быть использованы для изготовления стройматериалов, деталей машиностроения, металлорежущего инструмента, инструмента для обработки металлов давлением и для подшипников скольжения и т.д. Композиционный керамический материал на основе сиалона получа...

2329997

Способ переработки отработавшего ядерного топлива

Способ переработки отработавшего ядерного топлива

Изобретение относится к технологии переработки отработавшего (облученного) твердого ядерного топлива ядерных реакторов - диоксида урана - металлургическим способом с целью его дальнейшего безопасного хранения. Способ переработки отработавшего твердого ядерного топлива включает загрузку оксида отработанного ядерного топлива и материала-восстановителя, расплавление полученной шихты и восстановление...

2340021

Способ получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире

Способ получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к способам получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире, и может быть использовано в электронной технике при изготовлении полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире, включающем получение заготовки структуры кремния на сапфире, аморфизацию полу...

2390874

Способ резервирования полупроводниковых объектов, работающих под действием ионизирующего излучения

Способ резервирования полупроводниковых объектов, работающих под действием ионизирующего излучения

Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам резервирования полупроводниковых объектов, работающих под действием ионизирующего излучения. В предлагаемом способе активный объект работает при нормальной для него температуре, а идентичный ему резервный объект выключен. При отказе активного объекта его замещают резервным объектом, который нагревают до заданной температуры от...

2413281


Способ определения состояния, предшествующего разрушению горных пород и строительных сооружений, и устройство для его осуществления

Способ определения состояния, предшествующего разрушению горных пород и строительных сооружений, и устройство для его осуществления

Изобретение относится к горному делу, а именно к неразрушающим методам контроля горных пород, строительных материалов и конструкций, и может быть использовано для определения состояния, предшествующего разрушению (предразрушению) горного массива, зданий, сооружений и прогноза катастрофических ситуаций, а также для лабораторных исследований образцов горных пород и строительных материалов. Техничес...

2418165

Способ получения ультрадисперсного порошка бета-сиалона

Способ получения ультрадисперсного порошка бета-сиалона

Предлагаемое изобретение относится к способу получения ультрадисперсного порошка бета-сиалона из природного алюмосиликатного сырья. Способ обеспечивает выход готового продукта со значительным содержанием основной фазы (92-95 мас.%). В соответствии с заявленным способом алюмосиликатное сырье (каолин) предварительно подвергают термообработке, подготовку шихты ведут путем сухого перемалывания термоо...

2421428

Способ получения сверхтонких пленок кремния на сапфире

Способ получения сверхтонких пленок кремния на сапфире

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе получения сверхтонких пленок кремния на сапфире в объектах, содержащих сапфировую подложку и исходный слой кремния, толщина которого значительно больше толщины получаемых тонких пленок кремния, производят аморфизацию большей части слоя кремния, после чего производят твердофазную рекристаллизацию этого слоя, при которой испо...

2427941

Устройство детектирования течей пароводяной смеси из трубопровода

Устройство детектирования течей пароводяной смеси из трубопровода

Изобретение относится к области контроля за эксплуатацией технологического или иного оборудования, установленных в помещениях с притоком воздуха, например на АЭС, и направлено на повышение надежности и информативности измерений, что обеспечивается за счет того, что устройство для детектирования течей пароводяной смеси из трубопровода, установленного в помещении, снабженного притоком воздуха, вклю...

2461807

Способ постоянного поэлементного дублирования в дискретных электронных системах (варианты)

Способ постоянного поэлементного дублирования в дискретных электронных системах (варианты)

Изобретения относятся к области вычислительной техники и электроники и более точно к способам поэлементного дублирования в дискретных электронных системах, в том числе в наноэлектронных системах, подвергающихся воздействию радиации и в первую очередь потока высокоэнергетических частиц. Техническим результатом является повышение отказоустойчивости систем большой интеграции при работе в условиях ра...

2475820


Тепловыделяющий элемент для ядерных водо-водяных реакторов и способ его изготовления

Тепловыделяющий элемент для ядерных водо-водяных реакторов и способ его изготовления

Изобретение относится к ядерной энергетике и может быть использовано для изготовления твэлов преимущественно для ядерных водо-водяных энергетических реакторов (ВВЭР). Технический результат заключается в повышении безопасности твэла, его упрощении и снижении экономических затрат на его производство. Для этого трубка оболочки твэла выполнена из чередующихся слоев нанокристаллического карбида кремн...

2481654

Способ регистрации трещин в хрупких тензоиндикаторах

Способ регистрации трещин в хрупких тензоиндикаторах

Использование: для контроля процесса трещинообразования хрупких тензоиндикаторов при изменении уровня нагруженности в исследуемых зонах конструкции. Сущность изобретения заключается в том, что выполняют акустико-эмиссионные измерения сигналов образования трещин в хрупком тензопокрытии с дополнительным измерением концентрации аэрозолей в приповерхностном слое хрупкого тензопокрытия. Концентрацию...

2505779

Способ исследования деформации и напряжений в хрупких тензоиндикаторах

Способ исследования деформации и напряжений в хрупких тензоиндикаторах

Использование: для исследования деформации и напряжений в хрупких тензоиндикаторах. Сущность: что проводят акустико-эмиссионнные измерения сигналов образования трещин в хрупком тензопокрытии, при этом дополнительно измеряют концентрацию аэрозолей в приповерхностном слое хрупкого тензопокрытия, при этом при скорости изменения нагрузки до 0,1 кН/с с учетом 30-секундной поправки на задержку регистр...

2505780

Структура полупроводник-на-изоляторе и способ ее получения

Структура полупроводник-на-изоляторе и способ ее получения

Изобретение относится к твердотельной электронике. Изобретение заключается в том, что на изоляторе формируют поверхностный слой полупроводника. В изоляторе на расстоянии от поверхностного слоя полупроводника, меньшем длины диффузии носителей заряда, возникающих при облучении внешним ионизирующим излучением, формируют путем имплантации ионов легкого газа и последующего высокотемпературного отжига...

2581443

Структура полупроводник-на-изоляторе и способ ее изготовления

Структура полупроводник-на-изоляторе и способ ее изготовления

Изобретение относится к твердотельной электронике. Структура полупроводник-на-изоляторе содержит изолятор, расположенный на нем поверхностный слой полупроводника и сформированный в изоляторе имплантацией ионов легкого газа и последующего высокотемпературного отжига дефектный термостабильный слой с высокой рекомбинационной способностью носителей заряда, возникающих при облучении внешним ионизирующи...

2633437


Способ создания лазерного излучения и лазер, реализующий этот способ

Способ создания лазерного излучения и лазер, реализующий этот способ

Изобретение относится к лазерной технике. Для создания лазерного излучения используют газоразрядную камеру, установленную на ее выходе ионно-оптическую систему для формирования ускоренного пучка ионов, лазерный резонатор, в котором устанавливают узел перезарядки, представляющий проводящее геометрическое тело, одна из границ которого является гладкой плоской поверхностью. Размещают газоразрядную ка...

2653567