Чесноков Юрий Александрович (RU)
Изобретатель Чесноков Юрий Александрович (RU) является автором следующих патентов:
Прокладка для герметизации полимеризационной формы
Изобретение относится к прокладкам, которые применяются для разделения силикатных стекол или других пластин при сборке формы для полимеризации метакриловых и других мономеров методом блочной полимеризации в плоскопараллельной форме. Для герметизации полимеризационной формы предлагается прокладка, представляющая собой С-образный профиль на основе пластифицированного поливинилхлорида или полиолефина...
2319609Способ получения катодной обкладки конденсатора и оксидно-полупроводниковый конденсатор
Изобретение относится к производству оксидно-полупроводниковых конденсаторов и способам их изготовления. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических и частотных характеристик. Согласно изобретению способ получения катодной обкладки конденсатора включает в себя нанесение на секции многослойного покрытия из диоксида марганца, которое при формировании каждого слоя предусматр...
2463679Триалкоксисиланы, способ получения катодной обкладки на основе полиэтилендиокситиофена с силановым подслоем и оксидный конденсатор с такой катодной обкладкой
Изобретение относится к производству изделий электронной техники, конкретно - к производству оксидных конденсаторов с твердым электролитом на основе полимера. Предложены триалкоксисиланы общей формулы I, где R1 - Si(OAlk)3 или R1=-CH=N-CH2CH2CH2Si(OAlk)3, R2=R3=-OCH2CH2O-, в качестве кремнийсодержащих добавок для образования монослоя на поверхности танталового анода из спрессованного порошка тан...
2500682Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора
Изобретение относится к области электротехники, а именно к технологии нанесения покрытия из диоксида марганца на оксидированные объемно-пористые аноды вентильного металла, например тантала, ниобия. Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора заключается в нанесении многослойного катодного покрытия из диоксида марганца на оксидированный объемно-пористый анод из вент...
2516525