Нащекин Алексей Викторович (RU)
Изобретатель Нащекин Алексей Викторович (RU) является автором следующих патентов:
Способ получения углеродных наноструктур
Изобретение относится к области получения углеродных наноструктур на поверхности твердого тела с помощью электронного зонда и может быть использовано в области электронной литографии в части получения масок, используемых для последующего формирования полупроводниковых структур химическим, плазменным или ионным травлением. Сущность изобретения: способ получения углеродных наноструктур включает нане...
2319663Способ формирования металлических нанокластеров в стекле
Формирование металлических нанокластеров в стекле применяется в интегральной оптике для создания матриц микролинз, плазменных волноводов, оптических переключателей, химических и биосенсоров на основе плазменных наноструктур и метаматериалов. Способ позволяет получать композитные слои с нанокластерами серебра или меди в тонких приповерхностных слоях стекол. Технический результат изобретения - обес...
2394001Подложка для биочипа и способ ее изготовления
Изобретения относятся к оптике, технологиям обработки оптических материалов и нанотехнологиям. Подложка для биочипа представляет собой стеклянную пластину с наночастицами металла (Au, Ag, Pt). Согласно изобретению пластина выполнена из силикатного фотохромного или фототерморефрактивного стекла и содержит матрицу сквозных стеклянных каналов, ориентированных перпендикулярно поверхности или под угло...
2411180Способ формирования серебряных наночастиц в стекле
Способ формирования серебряных наночастиц в стекле относится к технологии оптических материалов и может быть использован в интегральной оптике и биосенсорных технологиях. Способ включает нанесение серебряной пленки на поверхность силикатного стекла, допированного церием, выдерживание полученной структуры при температуре 400-600°C в течение 2-10 часов, облучение структуры ультрафиолетовым излучен...
2509062Способ получения светопоглощающей кремниевой структуры
Изобретение относится к области солнечных фотоэлектрических преобразователей на основе монокристаллического кремния. Способ получения светопоглощающей кремниевой структуры включает нанесение на поверхность образца из монокристаллического кремния слоя ванадия толщиной от 50 нм до 80 нм, нагревание до температуры (430-440)°C в течение не менее 20 минут и выдержку в течение не менее 40 минут. Затем...
2600076