Аронзон Борис Аронович (RU)

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в компьютерах нового поколения, информационных системах связи, интеллектуальных датчиках, биопаспортах, системах управления. Техническим результатом изобретения является уменьшение погрешности измерений, повышение достоверности при сборе и обработке информации. Элемент памяти на планарном эффекте Холла выполнен на подложке, н...

Изобретение относится к области получения структур, например, элементов памяти, необходимых для использования в микроэлектронике, системотехнике. Сущность изобретения: способ получения ферромагнитного кремния для изделий спинтроники заключается в поочередном осаждении в вакууме слоев кремния и переходного 3d металла на подложку, при этом осаждение проводят из лазерной плазмы, подученной импульсны...

Изобретение может быть использовано при создании магниточувствительных диодных структур, магнитных переключателей и сенсоров магнитных полей на основе ферромагнитного композита. Магниточувствительный композит состоит из индия, сурьмы и марганца и представляет собой двухфазную систему, отвечающую формуле (InSb)1-x(MnSb)x, где x=0,04-0,1. Указанная система получена термической обработкой антимонида...