Носухин Сергей Анатольевич (RU)

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов алмаза и может быть использовано для получения монокристаллов, предназначенных для изготовления наковален алмазных камер высокого давления. Способ выращивания монокристаллов алмаза в области его термодинамической стабильности осуществляют на затравочном кристалле, который отделяют от источника углерода металлом-растворителем, в качестве ко...

Изобретение относится к устройствам для создания высокого давления и температуры и может быть использовано для синтеза сверхтвердых материалов, таких как алмаз и кубический нитрид бора, а также для термобарической обработки различных материалов. Сущность изобретения: устройство высокого давления и температуры содержит две соосно установленные матрицы с центральными углублениями в виде сферической...

Изобретение может быть использовано для синтеза сверхтвердых материалов, таких как алмаз и кубический нитрид бора, а также для термобарической обработки различных материалов. Устройство высокого давления и температуры содержит две соосно установленные составные матрицы, состоящие из опорной 1 и рабочей 2 частей со стальной поддержкой 4, отделенных друг от друга прокладкой 3 из диэлектрического мат...

Изобретение относится к получению монокристаллов алмазов, в частности, легированных азотом и фосфором, при высоких давлениях и температурах, которые могут быть использованы в устройствах электроники. Способ выращивания легированных азотом и фосфором монокристаллов алмаза в области высоких давлений 5,5-6,0 ГПа и температур 1600-1750°С осуществляют на затравочном кристалле, который предварительно за...