Чемекова Татьяна Юрьевна (RU)
Изобретатель Чемекова Татьяна Юрьевна (RU) является автором следующих патентов:
Способ полирования поверхности подложки
Изобретение относится к области шлифования и полирования, а именно к обработке монокристаллов. Способ включает ориентацию поверхности подложки и химико-механическое полирование с применением абразивной суспензии и полирующей плиты. Ориентированную подложку закрепляют на пластине из тугоплавкого металла. Затем проводят химико-механическое полирование закрепленной на пластине подложки при давлении п...
2320466Способ выращивания монокристаллического нитрида алюминия и устройство для его осуществления
Изобретение относится к выращиванию кристаллов из паров, в частности к выращиванию монокристаллов нитрида алюминия конденсацией испаряемого и сублимируемого материала. Способ предусматривает размещение в ростовой камере друг напротив друга подложки и источника паров алюминия, нагрев и поддержание рабочих температур. Для выравнивания атмосферы внутри ростовой камеры нагрев и поддержание рабочих тем...
2330904Способ выращивания монокристаллического нитрида алюминия
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из паров, в частности к выращиванию монокристаллов нитрида алюминия конденсацией испаряемого или сублимируемого материала. Способ предусматривает размещение в ростовой камере друг напротив друга подложки и источника паров алюминия, нагрев и поддержание рабочих температур источника и подложки. Для очищения подложки и источника паров алюминия от лет...
2330905Полупроводниковый светоизлучающий элемент
Полупроводниковый светоизлучающий элемент содержит подложку, а также выполненные из AlxGa1-xN n-контактный слой, активный слой, барьерный слой и р-контактный слой. Подложка выполнена из AlN, а р-контактный слой - из GaN. Между подложкой и n-контактным слоем расположена переходная структура, состоящая из одинаковых пар слоев, выполненных из беспримесного соединения AlxGa1-xN. Количество пар слоев...
2456711Способ изготовления полупроводниковых светоизлучающих элементов
Изобретение относится к способам, специально предназначенным для изготовления приборов для светового излучения методом хлоридно-гидридной эпитаксии. Согласно изобретению потоки химически активных газов, каждый из которых содержит один из металлов третьей группы, подают в рабочую зону параллельно оси реактора. Слои с различным количественным соотношением металлов третьей группы получают путем изме...
2479892