PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Чемекова Татьяна Юрьевна (RU)

Изобретатель Чемекова Татьяна Юрьевна (RU) является автором следующих патентов:

Способ полирования поверхности подложки

Способ полирования поверхности подложки

Изобретение относится к области шлифования и полирования, а именно к обработке монокристаллов. Способ включает ориентацию поверхности подложки и химико-механическое полирование с применением абразивной суспензии и полирующей плиты. Ориентированную подложку закрепляют на пластине из тугоплавкого металла. Затем проводят химико-механическое полирование закрепленной на пластине подложки при давлении п...

2320466

Способ выращивания монокристаллического нитрида алюминия и устройство для его осуществления

Способ выращивания монокристаллического нитрида алюминия и устройство для его осуществления

Изобретение относится к выращиванию кристаллов из паров, в частности к выращиванию монокристаллов нитрида алюминия конденсацией испаряемого и сублимируемого материала. Способ предусматривает размещение в ростовой камере друг напротив друга подложки и источника паров алюминия, нагрев и поддержание рабочих температур. Для выравнивания атмосферы внутри ростовой камеры нагрев и поддержание рабочих тем...

2330904

Способ выращивания монокристаллического нитрида алюминия

Способ выращивания монокристаллического нитрида алюминия

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из паров, в частности к выращиванию монокристаллов нитрида алюминия конденсацией испаряемого или сублимируемого материала. Способ предусматривает размещение в ростовой камере друг напротив друга подложки и источника паров алюминия, нагрев и поддержание рабочих температур источника и подложки. Для очищения подложки и источника паров алюминия от лет...

2330905

Полупроводниковый светоизлучающий элемент

Полупроводниковый светоизлучающий элемент

Полупроводниковый светоизлучающий элемент содержит подложку, а также выполненные из AlxGa1-xN n-контактный слой, активный слой, барьерный слой и р-контактный слой. Подложка выполнена из AlN, а р-контактный слой - из GaN. Между подложкой и n-контактным слоем расположена переходная структура, состоящая из одинаковых пар слоев, выполненных из беспримесного соединения AlxGa1-xN. Количество пар слоев...

2456711

Способ изготовления полупроводниковых светоизлучающих элементов

Способ изготовления полупроводниковых светоизлучающих элементов

Изобретение относится к способам, специально предназначенным для изготовления приборов для светового излучения методом хлоридно-гидридной эпитаксии. Согласно изобретению потоки химически активных газов, каждый из которых содержит один из металлов третьей группы, подают в рабочую зону параллельно оси реактора. Слои с различным количественным соотношением металлов третьей группы получают путем изме...

2479892