Лисейкин Виктор Петрович (RU)

Изобретение относится к микроэлектронике, используется для изготовления поликристаллических кремниевых затворов полевых транзисторов и межсоединений компонентов в больших интегральных схемах, а также в качестве эмиттеров биполярных транзисторов, резисторов и в качестве материала фотоприемников. Слой кремния наносят посредством магнетронного распыления кремниевой мишени в вакууме. Материал имеет бо...

Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков для микросборок интегральных схем или ИК-фотодиодных матриц методом перевернутого кристалла. Сущность изобретения: для изготовления индиевых столбиков на временную кремниевую подложку наносят слой фоторезиста и слой индия. Проводят фотолитографическую обработку по слою индия с последующей сушкой в термостате или на горячей подложке....

Изобретение относится к области тестирования МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых дефектов матричных или линейных МОП мультиплексоров на кремниевой пластине с годными МОП мультиплексорами вскрываются окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов и подложке, наносят слой индия, формируют область индия, которая закорачивает вс...

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых дефектов матричного или линейного кремниевого МОП мультиплексора, заключающемся в том, что на кремниевой пластине с годными МОП мультиплексорами вскрывают окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов и подложке, нано...

Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков взрывной технологией для микросборок интегральных схем и фотодиодных матриц. Сущность изобретения: в способе изготовления индиевых столбиков на пластину с металлическими контактами последовательно наносят первый слой фоторезиста, первый металлический слой, второй слой фоторезиста и второй металлический слой, затем проводят фотолитогр...

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых дефектов кремниевых МОП мультиплексоров на кремниевой пластине с годными кристаллами МОП мультиплексоров вскрывают окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов и подложке, наносят слой индия, формируют область индия,...

Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков взрывной технологией. Способ позволяет формировать индиевые столбики как на кремниевой (Si) БИС считывания, так и на инфракрасной фотодиодной матрице, кристалл которой выполнен из узкозонного полупроводника, например из индий-сурьма (InSb). Сущность изобретения: в способе изготовления индиевых столбиков на поверхность пластины с мета...

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования матричных или линейных МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых электрических дефектов матричных или линейных кремниевых МОП мультиплексоров на кремниевую пластину с годными кристаллами МОП мультиплексоров наносят слой защитного окисла и слой фоторезиста. Вскрывают контактные окна к металлизиро...