Тарасов Михаил Александрович (RU)

Изобретение относится к тепловым приемникам излучения миллиметровых и субмиллиметровых волн. Техническим результатом изобретения является повышение ампер-ваттной чувствительности болометра, снижение его шумов, расширение на порядок динамического диапазона и мощности насыщения, расширение частотного диапазона более чем на порядок, многократное расширение диапазона рабочих температур. Сущность изобр...

Изобретение относится к области высокочастотной техники, в частности к устройствам для коммутации сигналов сантиметрового, миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов. Техническим результатом изобретения является: повышение рабочей частоты сигнала модулятора до единиц гигагерц, увеличение глубины модуляции более 90%, снижение прямых потерь менее 1 дБ, повышение частоты модуляции (переключения)...

Изобретение относится к области микроволновой оптики, в частности к квазиоптическим устройствам, волноводам, резонаторам и линиям миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов, а также антеннам и радиаторам для возбуждения объемных резонаторов. Техническим результатом является повышение добротности открытого резонатора до 1 млн и выше, обеспечение возможности настройки добротности, увеличение раб...

Изобретение относится к области сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности к изготовлению сверхпроводниковых туннельных переходов, джозефсоновских переходов, структур типа сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник (СИС), структур сверхпроводник-изолятор-нормальный металл (СИН), болометров на холодных электронах. Сущность изобретения: в способе изготовления устройств с тонкопленочными сверхпров...

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к фоточувствительным приборам, предназначенным для обнаружения теплового излучения, и охлаждаемым приемникам ИК-излучения. Низкотемпературный перестраиваемый источник излучения черного тела содержит излучатель черного тела, нагреватель и термометр, размещенные в холодной камере. В одном варианте в устройство введена широкоапертурная...

Использование: для изготовления сверхпроводниковых туннельных переходов, джозефсоновских переходов. Сущность изобретения заключается в том, что наносят без разрыва вакуума трехслойную структуру сверхпроводник - изолятор - нормальный металл (СИН контакт); наносят резист, проводят экспозицию, проявление; селективное химическое или ионное травление трехслойной структуры, после стравливания трехслой...

Изобретение относится к области тонкопленочной сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности к изготовлению высокочувствительных болометров, электронных охладителей, одноэлектронных транзисторов, содержащих свободно висящий микромостик нормального металла и сверхпроводниковые переходы типа сверхпроводник-изолятор-нормальный металл (СИН), сверхпроводник-изолятор-другой сверхпроводник (СИС'), а т...