Вуль Александр Яковлевич (RU)
Изобретатель Вуль Александр Яковлевич (RU) является автором следующих патентов:
Способ очистки наноалмазов
Изобретение относится к неорганической химии и может быть использовано в биомедицинских исследованиях и при изготовлении немагнитных материалов, сорбентов. Промышленную смесь алмаза с графитом и металлами обрабатывают смесью кислот и окислителей. Суспензию дополнительно обрабатывают очищенной концентрированной соляной кислотой при концентрации наноалмазов в соляной кислоте не более двух процентов...
2322389Термоэлектрический элемент
Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям и материалам, используемым в термоэлектрических элементах (ТЭЭ) и термоэлектрических батареях (ТЭБ). Технический результат: повышение кпд. Сущность: термоэлектрческий элемент состоит из основного материала, имеющего протяженные параллельные углубления в виде канавок, дополнительного материала, расположенного...
2376681Способ контроля содержания магнитных примесей в наноалмазах детонационного синтеза
Изобретение относится к нанотехнологиям. Наноалмаз помещают в установку для отжига, пропускают водород и выдерживают при температуре, выбранной из интервала (900÷1100)°С. Охлаждают до комнатной температуры. Снимают рентгеновскую дифрактограмму. Дополнительно проводят регистрацию спектра электронного парамагнитного резонанаса (ЭПР) при комнатной температуре. Идентифицируют наличие металлических фа...
2388688Способ получения водной суспензии детонационных наноалмазов
Изобретение относится к области физико-химических процессов обработки неорганических материалов. Порошок детонационных наноалмазов обрабатывают галогеноводородной кислотой при температуре 50-130°С в течение 1-10 часов при одновременном ультразвуковом воздействии. Обработанный порошок промывают в деионизованной воде, сушат, отжигают на воздухе при температуре 400-450°С в течение 1-6 часов. После у...
2446097Способ получения алмазной структуры с азотно-вакансионными дефектами
Изобретение может быть использовано в магнитометрии, квантовой оптике, биомедицине, информационных технологиях. Очищенные детонационные наноалмазы спекают в камере при давлении 5-7 ГПа и температуре 750-1200°C в течение времени от нескольких секунд до нескольких минут. На полученный порошок алмазных агрегатов воздействуют излучением лазера с длиной волны менее 637 нм и отбирают алмазные агрегаты...
2448900Способ определения угла разориентированности кристаллитов алмаза в композите алмаза
Изобретение может быть использовано в области разработки материалов на основе алмаза для магнитометрии, квантовой оптики и биомедицины. Способ определения угла разориентированности кристаллитов алмаза в композите алмаза включает помещение композита алмаза в резонатор спектрометра электронного парамагнитного резонанса (ЭПР), измерение спектров ЭПР азотно-вакансионного NV-дефекта в композите алмаз...
2522596Способ получения кристаллических алмазных частиц
Изобретение относится к нанотехнологиям материалов. Способ получения кристаллических алмазных частиц включает пропитку порошка наноалмазов, полученных детонационным синтезом, предельным ациклическим углеводородом или одноосновным спиртом в концентрации от 22 мас. % до 58 мас. %, выдержку полученного состава при статическом давлении 5-8 ГПа и температуре 1300-1800°C в течение 10-60 секунд. Изобре...
2576055Способ получения кристаллических алмазных частиц
Изобретение относится к нанотехнологии алмазных частиц, необходимых для финишной шлифовки и полировки различных изделий и для создания биометок. Способ получения кристаллических алмазных частиц включает добавление к порошку наноалмазов, полученных детонационным синтезом, циклоалкана (циклического насыщенного углеводорода) или многоосновного спирта в количестве 5-85 мас. % от веса детонационных нан...
2628617Термоэлектрический элемент
Изобретение относится к области термоэлектричества. Сущность: термоэлектрический элемент (1) включает по меньшей мере две пленки основного материала (2) в виде углеродного материала с sp3 гибридизацией атомных связей, между которыми нанесена пленка дополнительного материала (3) в виде углеродного материала с sp2 гибридизацией связей. Толщина d, нм, пленки дополнительного материала (3) и толщина b,...
2628676