ХЕМЛИ Расселл Дж. (US)

Изобретение относится к технологии получения сверхтвердого монокристаллического алмаза. Монокристаллический алмаз, выращенный химическим осаждением из газовой фазы, индуцированным микроволновой плазмой, подвергают отжигу при давлениях свыше 4,0 ГПа и нагреванию до температуры свыше 1500°С. Получают алмазы, которые обладают твердостью более 120 ГПа и трещиностойкостью 6-10 Мпа м1/2. 3 н. и...

Изобретение относится к отжигу алмаза, а именно к отжигу монокристаллического CVD-алмаза. Способ включает увеличение температуры CVD-алмаза до температуры отжига, составляющей по меньшей мере 1500°С при давлении по меньшей мере 4,0 ГПа в пределах стабильной фазы графита или только в пределах стабильной фазы алмаза. В частных случаях выполнения изобретения после достижения CVD-алмазом темпе...

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Твердый монокристаллический алмаз получают путем размещения затравочного алмаза в держателе и выращивания химическим осаждением из газовой фазы, индуцированным микроволновой плазмой, при температуре примерно 1000-1100°С в атмосфере N2/CH4=0,2-5,0 и СН4/Н2=12-20% при суммарном давлении 120-220 торр. Полученный монокристалличес...

Изобретение относится к технологии получения сверхпрочного монокристалла алмаза, выращенного с помощью индуцированного микроволновой плазмой химического осаждения из газовой фазы. Способ включает размещение кристаллического зародыша алмаза в теплопоглощающем держателе, сделанном из вещества, обладающего высокой точкой плавления и высокой теплопроводностью, чтобы минимизировать температурные гради...

Изобретение относится к технологии получения бесцветного (то есть прозрачного для УФ-, видимого и ИК-излучения) монокристаллического алмаза с высокой скоростью роста. Способ включает регулирование температуры поверхности роста алмаза так, чтобы все градиенты температуры на поверхности роста алмаза не превышали примерно 20°С, и выращивание на поверхности роста монокристаллического алмаза химически...