Кортунова Людмила Яковлевна (RU)

Изобретение относится к электронной технике, в частности к резисторостроению. Резистивный материал для тонкопленочных резисторов включает хром, вольфрам, кремний, диоксид марганца и диоксид церия в следующем количественном соотношении, вес.%: вольфрам 8÷13; кремний 4÷18; диоксид марганца 2÷33; диоксид церия 6÷39; хром - остальное. Мишень из предлагаемого резистивног...

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано при изготовлении высокоомных тонкопленочных резисторов с прецизионными характеристиками. Материал для изготовления тонкопленочных резисторов содержит хром, железо, алюминий, диоксид кремния, титан и алунд при следующем количественном соотношении, мас.%: хром 10-24; железо 2-8; алюминий 11-17; диоксид кремния 41-57; титан 2-8; алунд 7-1...

Изобретение относится к области электротехники, в частности к резистивному материалу для изготовления проводящего слоя низкоомных резисторов и резистивных элементов схем, работающих в низкоомном диапазоне. Резистивный материал содержит хром, модифицирующие добавки диоксида марганца, кобальта и никеля, легирующие добавки железа и титана, при следующем количественном соотношении компонентов, вес.%:...

Изобретение может быть использовано при изготовлении непроволочных цилиндрических резисторов на операции лужения никелированных медных выводов. Обработку поверхности выводов осуществляют активным гидразинсодержащим флюсом, содержащим, мас.%: гидразин дигидрохлорид 2,0-4,0, двухатомный спирт 57,0-42,0, поверхностно-активное вещество 8,0-4,0, глицерин 33,0-50,0. Затем проводят погружение выводов в...