Редькин Аркадий Николаевич (RU)

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для разработки новых наноприборов на основе р-n перехода, таких как фотодетекторы, сенсоры, полевые транзисторы, светодиоды и т.д. Сущность изобретения: в структуре гетерогенного р-n перехода на основе, по крайней мере, одного наностержня оксида цинка n-типа проводимости и полупроводниковой пленки р-типа проводимост...

Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно - к лазерным электроннолучевым приборам (ЛЭЛП), используемым в системах отображения информации и медицинской технике, в частности растровой оптической микроскопии. Техническим результатом изобретения является снижение напряжения генерации лазерного излучения и повышение рабочей температуры. Лазерный электронно-лучевой проектор содерж...

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для разработки новых более совершенных наноприборов, таких как фотодетекторы, сенсоры, полевые транзисторы, светодиоды и т.д. Изобретение обеспечивает повышение качества р-n перехода за счет получения совершенного р-n перехода на основе совместимых друг с другом компонентов, в котором отсутствует его закорачивание....