Шевяков Василий Иванович (RU)

Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники, в частности к получению пористых наноматериалов. Способ включает формирование анодным окислением алюминиевого образца «жертвенного» слоя пористого анодного оксида, селективное по отношению к алюминию удаление «жертвенного» слоя, формирование анодным окислением алюминия основного слоя пористого анодного оксида алюминия. Формирование...

Изобретение относится к области электрохимии, а конкретно к анодному окислению металлов и полупроводников. Электрохимическая ячейка включает электропроводящий держатель образца, образец, ванну с электролитом, контактирующим с образцом, и устройство регулирования температуры в электрохимической ячейке. Устройство регулирования температуры контактирует с поверхностью электропроводящего держателя обр...

Тестовая структура для оценки радиуса кривизны острия иглы кантилевера сканирующей зондовой микроскопии состоит из основания, на котором размещены вертикально расположенные острия. Основание содержит приповерхностный слой, имеющий рельефную ячеистую структуру с плотной упаковкой, соседние ячейки имеют общую стенку. Каждая ячейка является, как минимум, пятистенной, стенки каждой ячейки расположены...

Изобретение относится к области полупроводниковых преобразователей энергии, а более конкретно к солнечным элементам со сверхтонким поглощающим слоем. Конструкция данного солнечного элемента состоит из твердотельного гибкого проводящего носителя и расположенной на нем многослойной структуры. Твердотельный носитель выполнен из титана и является одновременно слоем нижнего электрода. Многослойная стр...

Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники, а конкретно - к получению латерально расположенных нитевидных нанокристаллов оксида цинка. Способ включает формирование на рабочей стороне подложки затравочного слоя оксида цинка, осаждаемого на горизонтальную поверхность рабочей стороны подложки сплошной пленкой. После осаждения затравочного слоя оксида цинка на него наносят слой...

Изобретение относится к области электрохимических процессов, а конкретно к анодному окислению металлов и полупроводников. Электрохимическая ячейка для получения пористых анодных оксидов металлов и полупроводников включает плоский теплопроводящий держатель образца, выполненный из химически инертного материала, рабочий электрод, выполненный в виде полоскового металлического электрода, расположенног...

Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники, а именно к получению тонких пленок карбида вольфрама. Сущность изобретения: способ формирования тонких пленок карбида вольфрама включает нанесение тонкой вольфрамосодержащей пленки на полупроводниковую подложку и карботермический синтез, причем тонкую пленку вольфрама наносят импульсно-плазменным осаждением, а карботермический синт...

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в области наноэлектроники. Способ включает формирование слоя пористого анодного оксида анодным окислением титанового образца в потенциостатическом режиме в электролите на неводной основе, при этом после формирования слоя пористого анодного оксида проводят электрохимический процесс его отделения в слабом водном растворе нео...

Тестовая структура состоит из основания, содержащего приповерхностный слой. Приповерхностный слой имеет рельефную ячеистую структуру с плотной упаковкой. Соседние ячейки имеют общую стенку, а каждая ячейка является как минимум пятистенной. Стенки каждой ячейки расположены вертикально, а верхние кромки стенок ячеек имеют вогнутую форму. Тестовая структура содержит острия, имеющие радиус кривизны...

Изобретение относится к сенсорэлектронике. Использование: для создания пьезоэлектрических полимерных датчиков. Сущность изобретения заключается в том, что полимерный датчик матричного типа представляет собой полимерную пленку, содержащую поливинилиденфторид и металлизацию с обеих сторон пленки, полимерная пленка имеет вдоль по длине разную толщину, а именно, в боковом сечении имеет клиновидную фор...