Сафаралиев Гаджимет Керимович (RU)

Изобретение относится к материалам электронной техники, в частности к технологии производства монокристаллов карбида кремния эпитаксией из газовой фазы. Тигель содержит корпус и крышку с пьедесталом, при этом крышка снабжена концентрическими пазами, в которые вставляются теплопередающие элементы, которые увеличивают температуру части поверхности крышки, на которой растут поликристаллы, что замедля...

Изобретение относится к электротермическому оборудованию и предназначено, в частности, для производства монокристаллов карбида кремния эпитаксией из газовой фазы. Печь для эпитаксии карбида кремния включает водоохлаждаемый корпус с крышкой, нагреватели, тепловые экраны, кристаллизатор со съемной крышкой, смотровое окно, патрубок для вакуумирования, систему водоохлаждения, электропитания и контроль...

Изобретение относится к области технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов и может быть использовано в электронной промышленности для получения полупроводникового материала - твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x для создания на его основе приборов твердотельной силовой и оптоэлектроники, для получения буферных слоев (SiC)1-x(AlN)x при выращивании кристаллов нитрида алюминия (A...

Изобретение относится к оборудованию для получения микроэлектронных устройств методом ионного распыления. Изобретение направлено на усовершенствование конструкции для получения на подложке многослойных структур, используя одну ионную пушку. Сущность изобретения: в установке для получения многослойных структур, включающей вакуумную камеру, каретку с механизмом вращения, нагреватель с подложкой, и...

Изобретение относится к технологии получения полупроводников и предназначено, в частности, для производства приборов оптоэлектроники. Сущность изобретения: в способе получения тонких пленок диселенида меди и индия пленку получают в двухзонной печи путем переноса паров селена потоком газа-носителя из одной температурной зоны в другую на поверхность предварительно подготовленной медно-индиевой пор...

Изобретение относится к технологии получения пленок нитрида алюминия. Сущность изобретения: в способе получения пленки нитрида алюминия на сапфировой подложке, включающем процесс осаждения на ее предварительно азотированную поверхность материала источника, испаренного электронно- лучевым испарителем, в качестве источника выбран высокочистый алюминий, пары которого в зоне, прилегающей к подложке,...

Изобретение относится к устройствам для получения полупроводников и предназначено, в частности, для производства коротковолновых оптоэлектронных полупроводниковых приборов, работающих при высоких температурах в агрессивных средах. Тигель для выращивания объемного монокристалла нитрида алюминия включает графитовый контейнер 1 с крышкой 2 и затравкой 3, внутренняя поверхность контейнера 1 футерован...

Изобретение относится к плазменной технике, а именно к источникам получения пучка ионов, и может быть использовано в ионно-лучевых технологиях для модификации поверхностей изделий и для нанесения на них тонких пленок SiC, AIN, твердых растворов на их основе и т.д. Двухпучковый ионный источник состоит из корпуса, в котором размещены два независимых источника пучка ионов, формирующих два независимы...

Изобретение относится к технологии изготовления микросхем и микроэлектромеханических приборов. Сущность изобретения: способ изготовления микроприбора включает процедуры, в которых структуру прибора или его части формируют в одном материале, а затем преобразуют (конвертируют) этот материал в другой материал путем химического или структурного преобразования. Предложен, например, способ изготовления...

Изобретение относится к устройствам для получения твердых растворов карбида кремния с нитридом алюминия, используемых в производстве силовых, СВЧ- и оптоэлектронных приборов, работающих при высокой температуре и в агрессивных средах. Тигель включает графитовый корпус 1 с гранулированным поликристаллическим источником 7, 8, крышку 12, пьедестал 13 и подложки 11, 17. В полости графитового корпуса 1...

Изобретение относится к оборудованию для получения многослойных структур для микро-, нано- и оптоэлектроники ионно-плазменным методом. Устройство для получения тонких пленок нитридных соединений содержит основание, тоководы, графитовый нагреватель, держатели подложки, термопару, теплоизолятор с экраном, токопроводящие шины, приспособление для создания ламинарного потока реакционного газа, установ...

Изобретение относится к области фотоэлектроники и предназначено для преобразования потока солнечного излучения в электроэнергию. Изобретение направлено на увеличение активной площади солнечного модуля с одновременным увеличением КПД. Солнечный модуль включает каркас, солнечные элементы, структурированное стекло и текстурированную отражающую панель с геометрическим рельефом. Конструктивные особенн...

Изобретение относится к технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов. Эпитаксиальные пленки твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x, где компонента х больше нуля, но меньше единицы, получают путем осаждения твердого раствора на монокристаллическую подложку SiC-6H при температуре 1000°С магнетронным ионно-плазменным распылением, при этом распыление осуществляют в атмосфере аргона...