Трифонов Артем Сергеевич (RU)

Изобретение может быть использовано в нанотехнологии, в частности при изготовлении функциональных структур наноэлектроники. Технический результат изобретения - воспроизводимость получения организованных тонкопленочных наноструктур в виде квазипараллельных цепочечных ансамблей, которые характеризуются низкой степенью нарушений в локализации наночастиц в пленке покрытия. Сущность изобретения: в спос...

Зонд для сканирующего зондового микроскопа включает размещенный на острие кантилевера зарядовый сенсор в виде одноэлектронного транзистора, выполненного в слое кремния, допированном примесью до состояния вырождения, структуры кремний-на-изоляторе (КНИ) на подложке. Транзистор имеет два подводящих электрода, размещенные под острым углом друг к другу в плоскости подложки, сходящиеся концы которых...

Изобретение относится к области электронной техники и описывает возможность получения дырочной проводимости аморфной оксидной пленки на поверхности металлического стекла системы Ni-Nb путем искусственного оксидирования. Способ создания тонких слоев оксидов Ni и Nb с дырочной проводимостью для изготовления элементов сверхбольших интегральных схем предусматривает получение тонкой аморфной пленки с...