НАДЖДА Стивен (GB)
Изобретатель НАДЖДА Стивен (GB) является автором следующих патентов:
Способ перемешивания квантовых ям в структуре полупроводникового устройства и структура полупроводникового устройства, изготовленная с использованием данного способа
Изобретение относится к технологии изготовления световых устройств, имеющих структуры с квантовыми ямами, и к процессам перемешивания квантовых ям, используемым для регулируемого изменения запрещенной зоны в квантовой яме в предварительно определенных областях структуры. Сущность изобретения: способ перемешивания квантовых ям в структуре полупроводникового устройства предусматривает: а) формирован...
2324999