Хан А.В.

 Использование: изобретение относится к полупроводниковым источникам некогерентного излучения. Сущность изобретения: концентратор излучения выполнен в виде параболоида, задняя поверхность которого отражает излучение в направлении оси прибора, и полусферической линзы в углублении на передней поверхности, а излучающий кристалл размещен в общем для линзы и отражателя фокуса. Соотношение разме...

  Использование: электронная вакуумная техника, в частности полупроводниковые мишени, применяемые в кодирующих и передающих электронно-лучевых трубках. Сущность изобретения: в мишень, выполненную на основе транзисторов, введены изолированные друг от друга металлические площадки (МП), которые являются приемниками заряда электронного луча. В качестве транзисторов использованы полевые транзис...

 Использование: изобретение относится к электродной подотрасли промышленности и может быть использовано при производстве конструкционного графита. Задачей изобретения является расширение сырьевой базы производства конструкционных мелко- и тонкозернистых графитов. Сущность изобретения: способ включает приготовление композиции, содержащей фильтровую пыль, каменноугольный пек и естественный г...

 Изобретение может быть использовано в металлургии, конкретнее в способе подготовки рудовосстановительных закрытых печей для выплавки ферросплавов после длительного простоя. Согласно изобретению газ для обжига электродов (2-З% от общего расхода) подают через кольцевые горелки, расположенные вокруг каждого электрода в зоне загрузочных воронок, в секторе 60o к центру печи. 6-7% в примыкающих...

 Использование: изобретение относится к производству электродной продукции, а именно прокалке углеродистых материалов для получения углеграфитовых электродов электродуговых печей и электродной массы. Сущность изобретения: антрацит перед подачей в печь увлажняют, а затем загружают и производят прокалку, в течение которой через равные промежутки времени устанавливают расход газа, равный 0,47...

 Способ может быть использован в черной металлургии, в частности в производстве ферросплавов, конкретнее при эксплуатации самоспекающихся электродов рудотермических печей, предназначенных для производства ферросилиция. Способ предусматривает набивку стальных кожухов самоспекающихся электродов трехфазных рудотермических печей электродной массой двух видов: сформованной в виде цилиндрических...

 Изобретение относится к производству электродной продукции, а именно к прокалке углеродистых материалов для получения графитированных электродов электродуговых печей. Готовят антрацит классом крупности 20 - 60 мм. Перед подачей в печь обрабатывают водой в количестве 2 - 5% от массы антрацита. Нагрев и прокаливание антрацита ведут теплом от сжигания газообразного топлива и антрацита в соот...

 Изобретение относится к технике измерения давлений в жидкостях и газах. В чувствительный элемент, содержащий полупроводниковый кристалл с чувствительными к всестороннему сжатию резисторами (барорезисторами), дополнительно введена керамическая пластина, на периферийной части поверхности которой сформированы электроды в виде контактных площадок, а в центральной - выемка, в которой размещен...

 Использование: для регистрации заряженных частиц и гамма квантов. Сущность: детектор ионизирующего излучения выполнен из высокоомного полупроводника (, или i - типов) и содержит катод из полупроводника р-типа, анод из полупроводника n-типа, а также омические контакты к ним. Анод выполнен в виде полоски с двумя омическими контактами, созданными с двух противоположных сторон этой полоски и...

 Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к полупроводниковым излучающим диодам и может быть использовано для создания мощных источников электромагнитного излучения инфракрасного (ИК) и видимого диапазона спектра в оптических и электронно-оптических системах, предназначенных для использования в различных областях техники. Технический результат изобретения заключается в повышени...

 Изобретение относится к области оптоэлектроники, конкретно к мощным полупроводниковым излучающим диодам ИК и видимого диапазонов длин волн. Сущность изобретения состоит в том, что полупроводниковая структура излучающего диода, состоящая из отдельных мезоструктур, размещена на металлизированной диэлектрической пластине, выполненной из материала с высоким коэффициентом теплопроводности. На...