Рембеза С.И.
Изобретатель Рембеза С.И. является автором следующих патентов:
Полупроводниковый датчик газов
Датчик содержит электроизолирующую подложку с размещенными на ней нагревателем, термодатчиком, электродами газочувствительного слоя и газочувствительным слоем, помещенную в металлокерамический корпус. Подложка выполнена из кремния с расположенным на ней слоем диоксида кремния. Нагреватель и термодатчик выполнены из платины с подслоем титана в виде резисторов типа "Меандр". Электроды газоч...
2114422Способ контроля дозы ионного легирования
Использование: для анализа материалов с помощью физических средств при изготовлении полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: для контроля дозы ионного легирования в подложке измеряют величину внутреннего трения до ионного легирования Q-1, величину внутреннего трения после ионного легирования Q-1 и.л и вычисляют коэффициент К увеличения внутреннего трения по зависимости К=Q-1 и.л/...
2204872Полупроводниковый металлооксидный датчик газов
Изобретение относится к области газоаналитической техники и аппаратуры, в частности к полупроводниковым металлооксидным датчикам для контроля токсичных и взрывоопасных газов. Сущность: датчик газов представляет собой кристалл кремния, покрытый изолирующим слоем диоксида кремния, на котором размещены нагреватель-термодатчик, выполненный в виде резистора из платины с подслоем титана, электр...
2206082