Турчин В.И.
Изобретатель Турчин В.И. является автором следующих патентов:
Дуоплазмотрон
Использование: ускорители заряженных частиц. Сущность изобретения: в зазоре между промежуточным электродом и анодом установлен полый безнакальный катод. Контактирование плазмы в области отверстия эмиссии осуществляется не магнитным полем, а за счет электрических процессов, возникающих внутри полого катода при пропускании через него потока электронов. За счет этого повышается величина ток...
2045103Ионно-оптическая система с магнитной защитой электродов
Назначение: ионная техника, преимущественно для работы с интенсивными пучками в режимах большой длительности токовых импульсов. Изобретение обеспечивает повышение эффективности защиты ускоряющего электрода от потока заряженных частиц. Сущность изобретения: ионно-оптическая система состоит из плазменного и ускоряющего электродов. Последний выполнен в виде магнитной катушки, создающей конфи...
2087986Источник ионов с периферийным магнитным полем
Использование: в ионной технике. Сущность изобретения: в источнике ионов, содержащем ионизационную камеру с апертурой вытягивания, плазменный электрод, магниты, создающие периферийное образование, мультипольное магнитное поле, катоды устанавливающиеся за полюсами магнитов, относительно центральной продольной оси источника. Это приводит к сепарации электронов большой энергии от области фор...
2114482Дуоплазматрон с малым потоком газа на выходе
Изобретение относится к источникам заряженных частиц и применяется в ускорительной технике. Техническим результатом является уменьшение потока газа на выходе дуоплазматрона при генерации непрерывного пучка заряженных частиц. В дуоплазматрон, состоящий из разрядной камеры, катода, промежуточного электрода, электромагнита, анода с каналом эмиссии заряженных частиц, дополнительно введен кана...
2170988Лазерный источник ионов
Использование: в ускорительной технике, технологиях ионной имплантации и других отраслях народного хозяйства, где требуются источники заряженных частиц. Техническим результатом изобретения является повышение эффективности удержания плазмы в пролетном канале лазерного источника ионов и уменьшение разброса значений скоростей и углов ионного пучка, извлекаемого из такого источника. Сущность...
2206140Устройство для обработки алмазов
Изобретение относится к технологии обработки минералов, а именно алмазов. Технический результат - увеличение скорости обработки поверхности алмазов и повышение чистоты ее обработки. Устройство для обработки алмазов содержит вакуумную камеру, в которой размещены источник протонов, обрабатываемый алмаз и датчик газоанализатора. Источник протонов генерирует пучок протонов с величиной тока 3...
2211760Мультикасповый источник ионов с двухступенчатым электрическим разрядом
Изобретение относится к источникам заряженных частиц и применяется в области ускорительной техники. Техническим результатом является увеличение тока и уменьшение разброса поперечных скоростей ионов в пучке на выходе ионного источника. Мультикасповый источник ионов с двухступенчатым электрическим разрядом состоит из катода, промежуточного электрода, анода с отверстием эмиссии, расположенны...
2214016