PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Тихонов Евгений Олегович (RU)

Изобретатель Тихонов Евгений Олегович (RU) является автором следующих патентов:

Установка для двухсторонней вертикальной очистки поверхности круглых пластин полупроводниковых и оптических материалов

Установка для двухсторонней вертикальной очистки поверхности круглых пластин полупроводниковых и оптических материалов

Изобретение относится к области производства пластин. Сущность изобретения: установка для двухсторонней вертикальной очистки поверхности круглых пластин полупроводниковых и оптических материалов содержит чистящие элементы, размещаемые по обеим сторонам обрабатываемой пластины, устройства для подачи моющего раствора на обе стороны обрабатываемой пластины, опорно-направляющий механизм для поддержки...

2327247

Способ изготовления пластин полупроводниковых и оптических материалов

Способ изготовления пластин полупроводниковых и оптических материалов

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в микроэлектронике и оптике при производстве пластин из полупроводниковых и оптических материалов, особенно из материалов с повышенной твердостью и хрупкостью, например из сапфира. Сущность изобретения: в способе изготовления пластин полупроводниковых и оптических материалов, содержащем операции калибрования монокристалла,...

2337429

Способ изготовления нанополированных пластин из карбида кремния

Способ изготовления нанополированных пластин из карбида кремния

Изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в способе изготовления круглых пластин из карбида кремния, содержащем операции калибрования монокристалла, изготовления базового среза, резки монокристалла на пластины, шлифовки пластин, изготовления фаски по кромке пластины, отжига и полировки пластин, полирование пластин проводится в четыре стадии: грубая полировка алмазной...

2345442

Способ предэпитаксиальной обработки полированных подложек из карбида кремния

Способ предэпитаксиальной обработки полированных подложек из карбида кремния

Изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность изобретения - в способе предэпитаксиальной обработки полированных подложек из карбида кремния, включающем последовательно выполняемые следующие операции: калибрование монокристалла, изготовление базового среза, резку монокристалла на пластины, шлифовку пластин, изготовление фаски по кромке каждой пластины, полировку пластин, химическую и...

2345443

Способ очистки поверхности сапфировых подложек

Способ очистки поверхности сапфировых подложек

Изобретение относится к области очистки сапфировых подложек для гетероэпитаксии нитридов III группы, которые в дальнейшем применяются для изготовления различных оптоэлектронных элементов и устройств. Сущность изобретения: способ очистки поверхности сапфировых подложек, прошедших финишную полировку растворами силиказолей, предусматривает размещение подложек в металлические кассеты, ультразвуковую...

2395135


Способ доводки ориентации пластин полупроводниковых и оптических материалов

Способ доводки ориентации пластин полупроводниковых и оптических материалов

Изобретение относится к способам разделения монокристаллов на пластины, которые в дальнейшем применяются для изготовления подложек, используемых в производстве различных оптоэлектронных элементов и устройств. Сущность изобретения: в способе доводки ориентации пластин полупроводниковых и оптических материалов в процессе резки монокристаллов на пластины алмазными кругами с внутренней режущей кромко...

2411606