Афанасьев Валерий Давидович (RU)
Изобретатель Афанасьев Валерий Давидович (RU) является автором следующих патентов:
Способ получения кремния высокой чистоты
Изобретение относится к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов. Чистый диоксид кремния расплавляют, при температуре 1900°С вводят в расплав смесь порошков чистого кремния и диоксида кремния, взятых в стехиометрическом соотношении. Образующийся при этом газообразный монооксид кремния восстанавливается в газовой фазе чистым мет...
2327639Способ получения изделий из кварцсодержащего сырья
Предложение относится к термообработке кварцсодержащих материалов, получению изделий из них и может быть использовано в стекольной промышленности, кварцевом производстве при наплаве тиглей большого диаметра. Наплав тиглей осуществляется с помощью привязанной электрической дуги между двумя электродами, путем перемещения электродов относительно друг друга и каждого из них к обрабатываемой поверхност...
2336234Установка термического уничтожения медицинских и бытовых отходов
Изобретение относится к области утилизации отходов и может быть использовано в коммунальном хозяйстве для уничтожения бытовых отходов, в том числе отходов медицинских учреждений. Технический результат: обеспечение плавной регулировки производительности с возможностью уплотнения отходов, за счет чего автоматически поддерживается температурный режим в установке, исключающий проскок вредных выбросов....
2344346Способ получения кремния высокой чистоты
Изобретение может быть использовано для производства высокочистого кремния. Способ получения кремния высокой чистоты заключается в восстановлении диоксида кремния до монооксида кремния под действием электродуговой плазмы в атмосфере водорода с последующим восстановлением полученного монооксида кремния до элементарного кремния под действием электродуговой плазмы газовой смесью водорода и метана....
2367600Способ выращивания монокристаллов методом бестигельной зонной плавки и устройство для его осуществления
Изобретение относится к металлургии, а именно - к выращиванию монокристаллов методом бестигельной зонной плавки с электронно-лучевым нагревом. Способ включает затравление кристалла из расплавленной зоны, выдержку в течение заданного времени и вытягивание монокристалла на затравку из расплавленной зоны в градиенте температуры, в процессе которого осуществляют контроль величины диаметра центрально...
2519410Способ выращивания монокристаллических дисков из тугоплавких металлов и устройство для его осуществления
Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании монокристаллических дисков из тугоплавких металлов и сплавов на их основе методом бестигельной зонной плавки (БЗП) с электронно-лучевым нагревом. Способ включает формирование расплавленной зоны 12 между поликристаллической заготовкой 5 и боковой поверхностью горизонтально расположенного цилиндрич...
2553905