Петров Борис Константинович (RU)

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в конструкциях мощных ВЧ- и СВЧ-полупроводниковых приборов. Изобретение позволяет понизить коэффициент нелинейных искажений мощного ВЧ- и СВЧ-балансного транзистора, предназначенного для работы в двухтактных схемах усиления мощности и содержащего два идентичных ряда транзисторных ячеек, площадки контактной металлизации...

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных ВЧ- и СВЧ-полупроводниковых приборов. Изобретение позволяет повысить коэффициент усиления по мощности мощного ВЧ- и СВЧ-транзистора, транзисторные ячейки которого образуют ряд, разделенный посередине на две равные части, и в состав каждой транзисторной ячейки входит обособленная от других ячеек метал...

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: мощный ВЧ и СВЧ широкополосный транзистор содержит ряд из N транзисторных ячеек, первые металлизированные площадки которых соединены первой проводящей лентой с входным электродом корпуса, а вторые металлизированные площадки соединены второй проводящей лентой с общим электродом корпуса, причем между местами соединения лен...

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и позволяет увеличить коэффициент усиления по мощности ВЧ и СВЧ транзистора, в котором на противоположных сторонах одной из обкладок конденсатора внутреннего входного согласующего LC-звена располагаются контакты проводников (КП), соединяющих обкладку с эмиттерным выводом корпуса, и КП, соединяющих ее с эмиттерными областями транзисторных ячеек...

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и позволяет увеличить коэффициент усиления по мощности мощной высокочастотной транзисторной структуры (ТС), в соединении эмиттерных областей (ЭО) которой с конденсатором входной согласующей цепи, сформированным на поверхности той же полупроводниковой подложки, реализованы различные стабилизирующие сопротивления (СС). Для этого ширина металлизи...

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: мощная полупроводниковая структура содержит ряд окруженных со всех сторон областью первого типа проводимости областей второго типа проводимости в форме вписанных в прямоугольники трапеций с параллельными высотами и монотонным убыванием ширины каждой...

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных полупроводниковых приборов. Изобретение позволяет увеличить величину полезной мощности на единицу площади полупроводниковой структуры. Сущность изобретения: в мощной полупроводниковой структуре, содержащей ряд окруженных со всех сторон областью первого типа проводимости областей второго типа проводи...