Глуховской Евгений Геннадьевич (RU)

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, а именно к технологии получения радиационно стойких фотопроводящих слоев CdS с включениями фазы PbS и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых материалов и приборов, работающих при повышенных уровнях радиации. Техническим результатом изобретения является получение фоточувствительных пленок, характеризующихся более высокими па...

Изобретение относится к технологии получения тонких металлических пленок на твердотельных подложках. Изобретение может быть использовано в электронной промышленности при производстве полупроводниковых приборов, в материаловедении и кристаллофизике при проведении исследований структуры тонких пленок. Способ включает нанесение на основу слоя водорастворимого вещества, затем тонкой металлической плен...

Использование: для хранения микрокапсул с ЛВ и их дозированного вскрытия. Сущность изобретения заключается в том, что устройство для дозированного вскрытия микрокапсул содержит подложку и, по крайней мере, одну лунку для микрокапсулы, по крайней мере, один первый электропроводный слой, расположенный на подложке, по крайней мере, один диэлектрический слой, расположенный на первом электропроводном с...