НЭЖДА Стивен Питер (GB)

Способ изготовления полупроводникового устройства в полупроводниковой структуре обеспечивает улучшенное перемешивание квантовой ямы в требуемых областях устройства путем формирования вначале высококачественного эпитаксиального слоя на подложке, причем высококачественный слой включает квантовую яму; формирование второго, низкокачественного эпитаксиального слоя с дефектами поверх высококачественного...