Кауль Андрей Рафаилович (RU)

Изобретение относится к области получения материалов с заданной пористостью, которые могут быть использованы в производстве мембран. В способе уменьшения размера пор в поверхностном слое пористого тела, состоящего из неорганического оксида, поверхность пористого тела сканируют лазерным излучением при плотности мощности лазерного излучения от 25 до 200 кВт/см2 со скоростью сканирования от 10 до 500...

Изобретение относится к оптоэлектронике. Модулятор содержит рабочий оптический элемент, выполненный из расположенных на подложке n-слоев (n≥2) манганита, обладающего эффектом магнитопропускания, А1-хВхMnO3, в котором трехвалентный редкоземельный металл А частично замещен одно- или двухвалентным металлом В со степенью замещения х. Материал каждого слоя имеет свое значение температуры Кюри и...

Изобретение относится к области химической технологии получения покрытий так называемых сверхпроводящих проводников второго поколения. Способ получения двухстороннего сверхпроводника второго поколения методом химического осаждения металлоорганических соединений из паровой фазы в трубчатом реакторе химического осаждения заключается в том, что сначала в трубчатом реакторе одновременно на две сторон...

Изобретение относится к области технологии тонких пленок и покрытий, в частности к получению тонких пленок и покрытий неорганических фторидов, которые могут быть использованы как оптические, изоляционные и буферные материалы со строго определенной кристаллографической ориентацией - ориентированные фторидные покрытия. Способ получения ориентированных фторидных покрытий методом химического осаждени...

Изобретение относится к области оптоэлектроники. Способ основывается на том, что естественный (специально неполяризованный) свет подается под углом от 5 град. до 75 град. между направлением света и перпендикуляром к поверхности рабочего оптического элемента, выполненного из n-слоев (n≥1) манганитов, расположенных на прозрачной диэлектрической подложке. Отраженный и прошедший через модулятор свет...

Изобретение относится к технологии изготовления тонкопленочных высокотемпературных сверхпроводящих материалов и может быть использовано при промышленном производстве длинномерных сверхпроводящих лент для создания токопроводящих кабелей, токоограничителей, обмоток мощных электромагнитов, электродвигателей и т.д. Сущность изобретения: способ изготовления тонкопленочного высокотемпературного сверхп...

Изобретение относится к технологии изготовления тонкопленочных высокотемпературных сверхпроводящих материалов, в частности к изготовлению подложек для этих материалов. Сущность изобретения: способ изготовления биаксиально текстурированной подложки для высокотемпературных тонкопленочных сверхпроводников предусматривает проведение следующих стадий: А) получение заготовки, изготовленной из тройного...