Рубец Владимир Павлович (RU)

Изобретение относится к области получения материалов оптоэлектроники и гелиотехники, а точнее фоточувствительных твердотельных полупроводниковых гетероструктур. Сущность изобретения: в способе получения фоточувствительной структуры, содержащей пластину из монокристаллического кремния p-типа, фронтальный слой n-типа и p-n гетеропереход, включающем совместный нагрев подложки из монокристаллического...