Бутылкина Наталия Александровна (RU)

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и устройств и может использоваться для формирования p-n переходов в кремнии. Сущность изобретения: в способе формирования p-n перехода в кристалле кремния, включающем обработку поверхности кристалла пучком ионов, обработку поверхности кристалла выполняют пучком не легирующих пластину ионов. Способ обеспечивает упрощение, удеше...