Дунаев Александр Игоревич (RU)
Изобретатель Дунаев Александр Игоревич (RU) является автором следующих патентов:
Способ получения регулярных систем наноразмерных нитевидных кристаллов кремния
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов и предназначено для управляемого выращивания наноразмерных нитевидных кристаллов кремния. Способ получения регулярных систем наноразмерных нитевидных кристаллов кремния включает подготовку кремниевой пластины путем маскирования ее поверхности фоторезистом, создания в нем отверстий, электрохимического осаждения в отверсти...
2336224Способ получения эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов полупроводников постоянного диаметра
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ получения эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов полупроводников постоянного диаметра включает подготовку полупроводниковой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением подготовленной пластины в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого веще...
2456230Полупроводниковый фотопреобразователь
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к фотоэлектрическим преобразователям (ФП) для прямого преобразования солнечной энергии в электрическую энергию. Область применения - возобновляемые источники энергии. Согласно изобретению в полупроводниковом ФП, состоящем из монокристаллических кремниевых пластин с вертикально расположенными на поверхности нитевидными кристаллами, получ...
2517924Способ получения нитевидных нанокристаллов полупроводников
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ включает подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар→капельная жидкость→кристалл, при этом перед нанесением частиц катализатора и помещен...
2526066Способ выращивания планарных нитевидных кристаллов полупроводников
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и предназначено для управляемого выращивания нитевидных кристаллов полупроводников. Способ включает подготовку полупроводниковой пластины путем нанесения на ее поверхность частиц катализатора с последующим помещением подготовленной пластины в ростовую печь, нагревом и созданием в пластине продольного температурного градиен...
2536985Способ получения массивов наноразмерных нитевидных кристаллов кремния с управляемой поверхностной плотностью
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ получения массивов наноразмерных нитевидных кристаллов кремния включает подготовку ростовой кремниевой подложки путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора конденсацией микрокапель коллоидного раствора и помещением подготовленной пластины в ростовую печь с последующим выращиванием нитев...
2568217Способ получения отверстий в монокристаллических пластинах кремния
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области создания микроструктурных элементов электронных устройств. Способ получения отверстий в монокристаллических пластинах кремния включает подготовку полупроводниковой пластины путем нанесения на ее поверхность мелкодисперсных металлических частиц катализатора с последующим покрытием их тонкой пленкой тетрабората натрия (безводног...
2569551Способ выращивания легированных нитевидных нанокристаллов кремния
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов путем выращивания легированных нитевидных нанокристаллов кремния на кремниевых подложках по схеме пар→жидкая капля→кристалл (ПЖК). Способ включает подготовку полупроводниковой пластины путем нанесения на ее поверхность частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом, осаждением кристаллизуемого вещ...
2617166Способ получения нитевидных нанокристаллов кремния
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ получения нитевидных нанокристаллов Si (ННК) включает подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар → капельная жидкость → кристалл, при это...
2648329Способ выращивания острийных нитевидных кристаллов кремния
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для создания автоэмиссионных электронных приборов (с «холодной эмиссией электронов) для изготовления зондов и кантилеверов сканирующих зондовых микроскопов и оперативных запоминающих устройств с высокой плотностью записи информации, поверхностно-развитых электродов электрохимических ячеек источников тока, а также для использ...
2653026