Мятеж Александр Владимирович (RU)

Предлагаемое изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для управления мостовым инвертором, содержащим силовые вентили Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) или Metal-Oxyde-Smiconductor Field Effect Transistor (MOSFET), включенные по мостовой схеме. В известное устройство для управления мостовым инвертором, содержащее интегрирующий модулятор длительности импульсов, введены...