Манусов Вадим Зиновьевич (RU)

Предлагаемое изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для управления мостовым инвертором, содержащим силовые вентили Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) или Metal-Oxyde-Smiconductor Field Effect Transistor (MOSFET), включенные по мостовой схеме. В известное устройство для управления мостовым инвертором, содержащее интегрирующий модулятор длительности импульсов, введены...

Изобретение относится к области создания материалов для защиты от различных видов излучений, обеспечивающих максимально возможное снижение воздействий излучений на обслуживающий персонал и эксплуатируемое электрооборудование. Электропроводная композиция содержит следующие компоненты мас. %: цемент - 28,0÷30,0; сажа - 9,0÷10,0; гравий - 14,0÷17,0; песок - 30,0÷33,0; смесь полиэтиленгликолевых эфиро...