PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Бычков Сергей Сергеевич (RU)

Изобретатель Бычков Сергей Сергеевич (RU) является автором следующих патентов:

Свч ldmos-транзистор

Свч ldmos-транзистор

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Техническим результатом изобретения является повышение предельно-допустимых значений электрических параметров и режимов эксплуатации СВЧ LDMOS - транзисторов и обеспечение условий для организации рентабельного промышленного выпуска данных изделий. Сущность изобретения: в СВЧ LDMOS - транзисторе, содержащем полупроводниковую подложку с...

2338297

Способ изготовления свч мощных полевых ldmos транзисторов

Способ изготовления свч мощных полевых ldmos транзисторов

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в способе изготовления СВЧ мощных полевых LDMOS-транзисторов, включающем формирование первичного защитного покрытия на лицевой стороне исходной кремниевой подложки с верхним высокоомным и нижним высоколегированным слоями первого типа проводимости, вскрытие окон в первичном защитном покрытии, подлегирование вскры...

2364984

Способ изготовления свч ldmos транзисторов

Способ изготовления свч ldmos транзисторов

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на улучшение электрических параметров СВЧ мощных кремниевых генераторных LDMOS транзисторов, повышение их стойкости к воздействию ионизирующих излучений и повышение процента выхода годных изделий. Сущность изобретения: в способе изготовления СВЧ LDMOS транзисторов, включающем выращивание толстого полевого диэлектрика на по...

2439744

Мощный свч ldmos транзистор и способ его изготовления

Мощный свч ldmos транзистор и способ его изготовления

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в мощном СВЧ LDMOS транзисторе, содержащем кремниевую подложку с высокоомным и высоколегированным слоями p-типа проводимости, элементарные транзисторные ячейки с истоковой p+-перемычкой, p-карманом, высоколегированной истоковой, высоколегированной и слаболегированной стоковой областями n-типа проводимости в высок...

2473150