Пекарчук Татьяна Николаевна (RU)
Изобретатель Пекарчук Татьяна Николаевна (RU) является автором следующих патентов:
Свч ldmos-транзистор
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Техническим результатом изобретения является повышение предельно-допустимых значений электрических параметров и режимов эксплуатации СВЧ LDMOS - транзисторов и обеспечение условий для организации рентабельного промышленного выпуска данных изделий. Сущность изобретения: в СВЧ LDMOS - транзисторе, содержащем полупроводниковую подложку с...
2338297Способ изготовления мощных полевых транзисторов с изолированным затвором
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и направлено на повышение величины энергии лавинного пробоя, стойкости к воздействию ионизирующих излучений, расширение области безопасной работы и функциональных возможностей мощных кремниевых транзисторов. В способе изготовления мощных полевых транзисторов с изолированным затвором, включающем формирование защитного покрытия с верхним слоем н...
2361318Способ изготовления свч мощных полевых ldmos транзисторов
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в способе изготовления СВЧ мощных полевых LDMOS-транзисторов, включающем формирование первичного защитного покрытия на лицевой стороне исходной кремниевой подложки с верхним высокоомным и нижним высоколегированным слоями первого типа проводимости, вскрытие окон в первичном защитном покрытии, подлегирование вскры...
2364984Способ изготовления свч ldmos транзисторов
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на улучшение электрических параметров СВЧ мощных кремниевых генераторных LDMOS транзисторов, повышение их стойкости к воздействию ионизирующих излучений и повышение процента выхода годных изделий. Сущность изобретения: в способе изготовления СВЧ LDMOS транзисторов, включающем выращивание толстого полевого диэлектрика на по...
2439744Мощный свч ldmos транзистор и способ его изготовления
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в мощном СВЧ LDMOS транзисторе, содержащем кремниевую подложку с высокоомным и высоколегированным слоями p-типа проводимости, элементарные транзисторные ячейки с истоковой p+-перемычкой, p-карманом, высоколегированной истоковой, высоколегированной и слаболегированной стоковой областями n-типа проводимости в высок...
2473150