ФУРУКАВА Тошихару (US)

Изобретение относится к полевым транзисторам с вертикальным каналом, канальная область у которых образована по меньшей мере одной полупроводниковой нанотрубкой. Сущность изобретения: вертикальная структура полупроводникового устройства включает подложку, образующую в основном горизонтальную плоскость, электрод затвора, имеющий вертикальную боковую стенку и выступающий в вертикальном направлении от...

Изобретение относится к вертикальным структурам полупроводниковых устройств, включающих нанотрубки в качестве конструктивного элемента, и способам изготовления таких структур. Сущность изобретения: предложена вертикальная структура полупроводникового устройства, включающая подложку, образующую в основном горизонтальную плоскость, электрод затвора, выступающий от подложки в вертикальном направлении...