НЕСБИТ Ларри Алан (US)

Изобретение относится к полевым транзисторам с вертикальным каналом, канальная область у которых образована по меньшей мере одной полупроводниковой нанотрубкой. Сущность изобретения: вертикальная структура полупроводникового устройства включает подложку, образующую в основном горизонтальную плоскость, электрод затвора, имеющий вертикальную боковую стенку и выступающий в вертикальном направлении от...