Елисеев Владимир Сергеевич (RU)

Изобретение относится к измерительной технике. В изобретении топологические рентгенопоглощающие рисунки из металла с большим атомным номером формируются на обеих поверхностях несущей мембраны рентгенолитографического шаблона в виде симметричных пространственно совмещенных структур одинаковой толщины. Технический результат - уменьшение величины неплоскостности рабочей поверхности рентгенолитографич...

Использование: для проведения трафаретной рентгеновской литографии. Сущность: заключается в том, что зафиксированный на шаблонодержателе рентгеношаблон, содержащий сформированный на его рабочей поверхности топологический рисунок и зафиксированную на подложкодержателе обрабатываемую подложку с нанесенным на ее рабочую поверхность слоем рентгенорезиста, размещают на пути следования экспонирующего из...

Способ проведения теневой трафаретной рентгеновской литографии, при котором рентгеношаблон, содержащий несущую мембрану со сформированным на ее рабочей поверхности металлическим рентгенопоглощающим топологическим рисунком и обрабатываемую подложку с нанесенным на ее рабочую поверхность слоем рентгенорезиста размещают на пути следования синхротронного излучения, причем ближе к источнику излучения р...

Использование: для изготовления литографической маски. Сущность: формируют на рабочей поверхности несущей мембраны топологический рентгенопоглощающий рисунок, при этом идентичный топологический рентгенопоглощающий рисунок из того же материала (или комбинации материалов), такой же толщины и пространственно совмещенный с первым формируют также и на противоположной стороне несущей мембраны. Техническ...

Изобретение относится к области переработки висмутсодержащих материалов с получением порошкообразного висмута. Способ включает нагревание висмута до паровой фазы и охлаждение паров до выделения продукта, при этом висмут нагревают до температуры 1200-1600°С потоком электронов мощностью 4-10 кВт на 1 см2 при избыточном давлении 3-10 мм рт.ст., а охлаждение паров осуществляют при 15-40°С в потоке ин...