Кравецкий Дмитрий Яковлевич (RU)

Изобретение относится к области получения профилированных кристаллов тугоплавких соединений, например лейкосапфира, рубина, алюмоиттриевого граната др., выращиванием из расплава методом Степанова. Устройство содержит тигель с установленным в нем формообразователем с вертикальными капиллярными каналами, при этом оно снабжено насадкой, закрепленной на нижнем конце формообразователя, охватывающей его...

Изобретение относится к области выращивания из расплава профилированных кристаллов тугоплавких соединений, например лейкосапфира, рубина, алюмоиттриевого граната и др. по методу Степанова. Способ включает загрузку исходного сырья, вакуумирование, отжиг, напуск инертного газа, расплавление исходного сырья, запитывание расплавом капилляров формообразователя при подъеме тигля, затравление, вытягиван...

Изобретение относится к области выращивания из расплава профилированных кристаллов тугоплавких соединений, например лейкосапфира, рубина, алюмоиттриевого граната, по способу Степанова, которые могут быть использованы в приборо- и машиностроении, термометрии и химической промышленности. Устройство включает тигель 2 с расплавом 3, размещенный в камере роста 1, соединенной со средством подачи ине...

Изобретение относится к области выращивания из расплава профилированных кристаллов тугоплавких соединений методом Степанова, например лейкосапфира, рубина, алюмоиттриевого граната, которые могут быть использованы в приборостроении, машиностроении, термометрии, химической промышленности. Способ включает формирование столбика расплава 5 между затравкой 7 и верхним торцом формообразователя, который...

Изобретение относится к области выращивания из расплава профилированных кристаллов тугоплавких соединений методом Степанова и изготовления из них монокристаллических цилиндрических шайб, которые могут быть использованы в приборостроении, машиностроении. Способ изготовления монокристаллических цилиндрических шайб включает выращивание монокристаллов в виде лент, толщина которых превышает диаметр ш...