PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Хайновский Владимир Иванович (RU)

Изобретатель Хайновский Владимир Иванович (RU) является автором следующих патентов:

Способ предпосевной обработки семян сои электрическим полем

Способ предпосевной обработки семян сои электрическим полем

На семена сои воздействуют импульсным электрическим полем. Амплитуда напряженности Еmaxполя не превосходит величин , а сумма времен длительности импульса «τ» и длительность его фронта «а» для каждого импульса достигает, по крайней мере, нескольких наносекунд и составляет (τ+а)≤(8÷9)·10-9 сек. Такое воздействие обеспечивает увеличение энергии прорастания и вс...

2340139

Способ выращивания гриба вешенки

Способ выращивания гриба вешенки

Изобретение относится к области сельского хозяйства, в частности к грибоводству. Способ включает обработку биологически активным веществом, в качестве которого используют озон совместно с потоком мелкодисперсного раствора воды и воздуха с концентрацией озона 30 - 60 мг/м3 и концентрацией воды 0,5 - 4 г/дм3. Обработку проводят до трех раз в возрасте от 4 дней до начала процесса образования приморд...

2407275

Фотоприемное устройство

Фотоприемное устройство

Изобретение относится к области электроники и измерительной техники и предназначено для регистрации излучения в различных спектральных диапазонах видимого спектра излучения в фотоэлектрических спектральноселективных преобразователях изображения. Фотоприемное устройство содержит пять вертикально-интегрированных слоев с противоположным типом проводимости, каждый из которых соединен с тремя МОП тран...

2439747

Способ изготовления ячейки фотоприемного устройства

Способ изготовления ячейки фотоприемного устройства

Изобретение относится к области электроники и измерительной техники. Сущность изобретения: способ изготовления ячейки фотоприемного устройства включает процессы формирования трех вертикально-интегрированных слоев чередующихся n- и р-типов проводимости на полупроводниковой подложке р-типа, причем к каждому указанному слою и подложке формируются омические контакты. В верхнем полупроводниковом слое...

2456708