Макеев Хасан Ильич (RU)
Изобретатель Макеев Хасан Ильич (RU) является автором следующих патентов:
![Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава](https://img.patentdb.ru/i/200x200/2b67252c36f2cfcaaec67c10c1ca6d09.jpg)
Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава
Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано, преимущественно, при получении кристаллов веществ с температурой плавления, превышающей температуру размягчения кварца, например, при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского. Способ включает размещение кварцевого тигля в составной подставке, образованной цилиндрической обечайкой и диском, за...
2342473![Способ выращивания монокристалла кремния из расплава Способ выращивания монокристалла кремния из расплава](/img/empty.gif)
Способ выращивания монокристалла кремния из расплава
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для электронной техники, в частности кремния, методом Чохральского. Способ включает подачу рабочего газа в камеру с последующей эвакуацией сформированного газового потока с парогазовой смесью, образованной над расплавом, расположенным в тигле, при этом рабочий газ подают в камеру снизу под тигель, а парогазовую смесь эвакуи...
2472875![Способ получения кремниевых филаментов произвольного сечения (варианты) Способ получения кремниевых филаментов произвольного сечения (варианты)](/img/empty.gif)
Способ получения кремниевых филаментов произвольного сечения (варианты)
Изобретение относится к технологии получения высокочистых полупроводниковых материалов для электронной, электротехнической промышленности и солнечной энергетики. Один из вариантов получения кремниевых филаментов в виде прутков и/или подложек произвольного сечения из высокочистого кремния включает непрерывное литье кремния из расплава вниз на затравку через фильеру, расположенную между зоной расп...
2507318![Способ выращивания монокристалла кремния из расплава Способ выращивания монокристалла кремния из расплава](https://img.patentdb.ru/i/200x200/b2af5a2b42a1061a074074232e9db7bb.jpg)
Способ выращивания монокристалла кремния из расплава
Изобретение относится к технологии получения кремния методом Чохральского для электронной техники и фотоэнергетики. Разогретый рабочий газ внутри камеры 3 направляют вверх параллельно вертикальной оси камеры 3 и, не проходя над расплавом 2, выводят через регулируемые клапаны 13, расположенные в верхней части боковой поверхности камеры 3, выше уровня тигля 8, при этом одновременно с основным газовы...
2663130