Колин Николай Георгиевич (RU)

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений АIIIВV. Монокристаллы антимонида индия, легированного оловом, получают путем облучения полным спектром реакторных нейтронов с последующим нагревом, отжигом и охлаждением. Нагрев ведут со скоростью 20÷40 град/мин до температуры отжига, определяемой по формуле Тотж=450+(lgNSn-14)·7[°С], где NSn - концентрация вво...

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений типа AIIIBV. Способ осуществляют путем облучения монокристаллических пластин арсенида индия быстрыми нейтронами с последующим нагревом, отжигом и охлаждением. Облучению подвергают монокристаллические пластины с различной степенью компенсации при плотности потока не более 1012 см-2 с-1 до флюенса Ф=(0,5÷5,0)·1015 см-2,...

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений. Сущность изобретения: в способе получения монокристаллов фосфида индия, легированного оловом, нелегированный монокристалл фосфида индия облучают полным спектром реакторных нейтронов с последующим нагревом, отжигом и охлаждением. Нагрев и охлаждение ведут с определенной скоростью, а отжиг проводят при температуре, определяемой по пред...

Изобретение относится к полупроводниковой технологии для получения эпитаксиальных слоев нитридов III-группы. Сущность изобретения: в способе обработки монокристаллических эпитаксиальных слоев нитридов III-группы путем облучения быстрыми нейтронами с последующим нагревом, отжигом и охлаждением, облучению подвергают эпитаксиальные слои при плотности потока нейтронов не более 1012 см-2·с-1, флюенсо...

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для получения легированных германием эпитаксиальных слоев нитрида галлия. Сущность изобретения: в способе легирования эпитаксиальных слоев нитрида галлия германием, включающем введение германия в твердый образец, нагрев, отжиг и охлаждение, германий вводят путем облучения эпитаксиальных слоев нитрида галлия потоком частиц, содерж...