Мильвидский Михаил Григорьевич (RU)

Изобретение относится к технологии производства бездислокационных пластин полупроводникового кремния, вырезаемых из монокристаллов, выращиваемых методом Чохральского, и применяемых для изготовления интегральных схем и дискретных электронных приборов. Сущность изобретения: способ повышения механической прочности монокристаллических бездислокационных пластин кремния с содержанием кислорода на уровне...

Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов. Устройство включает камеру 1 выращивания монокристалла с расположенным в ней тиглем 4 для получения расплава, средство вытягивания из расплава монокристалла кремния и экранирующее приспособление, расположенное соосно выращиваемому монокристаллу, выполненное в виде двойного экрана - внутреннего 12 и внешнего 13...

Изобретение относится к области получения монокристаллов кремния. Устройство включает камеру 1 выращивания монокристалла 22 с расположенным в ней тиглем 4 для получения расплава, средство вытягивания из расплава монокристалла кремния и экранирующее приспособление, расположенное соосно выращиваемому монокристаллу 22, выполненное в виде двойного экрана - внутреннего 15 и внешнего 16, при этом внешн...