Жмерик Валентин Николаевич (RU)
Изобретатель Жмерик Валентин Николаевич (RU) является автором следующих патентов:

Способ выращивания многослойной структуры на основе ingan посредством плазменного мве
Изобретение относится к способу выращивания многослойной структуры на основе InGaN. Сущность изобретения: в способе выращивания многослойной структуры на основе InGaN подложку размещают в ростовой камере аппарата плазменной молекулярно-пучковой эпитаксии, оборудованного активатором азота, для подготовки к выращиванию слоя нитрида элемента III группы. Поток активированного азота направляют на подло...
2344509