PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Романов Вадим Леонидович (RU)

Изобретатель Романов Вадим Леонидович (RU) является автором следующих патентов:

Способ изготовления полевого транзистора с затвором типа барьера шоттки

Способ изготовления полевого транзистора с затвором типа барьера шоттки

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к способу изготовления полевых транзисторов с затвором типа барьера Шоттки, и может быть использовано для улучшения и стабилизации их параметров и отбраковки потенциально ненадежных приборов. Сущность изобретения: способ включает формирование активных областей полевого транзистора, напыление омических контактов, формирование затвора типа б...

2349986

Способ изготовления полевого транзистора с барьером шоттки

Способ изготовления полевого транзистора с барьером шоттки

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано для изготовления полевых транзисторов с барьером Шоттки. Сущность изобретения: способ изготовления полевого транзистора с барьером Шоттки содержит формирование активных областей прибора с рабочим n и контактным n+ слоями, формирование омических контактов, нанесение первого диэлектрического слоя, формирование в нем...

2349987

Способ стабилизации электрических параметров полупроводниковых приборов, загерметизированных в пластмассу

Способ стабилизации электрических параметров полупроводниковых приборов, загерметизированных в пластмассу

Способ стабилизации электрических, загерметизированных в пластмассу. Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано для стабилизации электрических параметров полупроводниковых приборов, загерметизированных в пластмассу. Способ стабилизации электрических параметров полупроводниковых приборов содержит посадку полупроводникового кристалла с изготовленной структу...

2484550