Драгуть Максим Викторович (RU)

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к способу изготовления полевых транзисторов с затвором типа барьера Шоттки, и может быть использовано для улучшения и стабилизации их параметров и отбраковки потенциально ненадежных приборов. Сущность изобретения: способ включает формирование активных областей полевого транзистора, напыление омических контактов, формирование затвора типа б...

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано для изготовления полевых транзисторов с барьером Шоттки. Сущность изобретения: способ изготовления полевого транзистора с барьером Шоттки содержит формирование активных областей прибора с рабочим n и контактным n+ слоями, формирование омических контактов, нанесение первого диэлектрического слоя, формирование в нем...