Михнев Леонид Васильевич (RU)

Изобретение относится к способу получения тонких пленок карбида кремния методом вакуумной лазерной абляции и может быть использовано для получения тонкопленочных покрытий и активных слоев тонкопленочных приемников УФ-излучения в микроэлектронике. Способ включает распыление керамической мишени лазерным лучом в условиях высокого вакуума без добавок газообразных реагентов на нагретую подложку. Мишень...

Изобретение относится к технологии оптоэлектронных приборов и может быть использовано для получения люминесцентных фотонно-кристаллических средств отображения информации с контролируемой направленностью излучения. Способ получения люминесцентных фотонных кристаллов с контролируемой направленностью излучения предусматривает использование в качестве матрицы фотонного кристалла упорядоченной структу...

Изобретение относится к технологии оптоэлектроники и может быть использовано для получения полифункциональных пленочных инвертированных фотонных кристаллов с запрещенной зоной в видимой и ИК-области спектра, и пригоден для производства оптоэлектронных (электрооптических и магнитооптических) приборов на основе инвертированных фотонных кристаллов. Способ получения полифункциональных фотонных криста...