Пчеляков Олег Петрович (RU)
Изобретатель Пчеляков Олег Петрович (RU) является автором следующих патентов:
![Термофотоэлектрический преобразователь Термофотоэлектрический преобразователь](https://img.patentdb.ru/i/200x200/33f46afa1bb887cf6b6cc16051b6a028.jpg)
Термофотоэлектрический преобразователь
Предлагаемый термофотоэлектрический преобразователь состоит из последовательно и концентрически расположенных протяженного внутреннего кругового цилиндрического эмиттера, набора отражательных элементов, набора фотоэлементов, светочувствительная сторона которых обращена в сторону эмиттера, и сопряженных с фотоэлементами радиаторов. Отражательные элементы выполнены в виде азимутально повернутых отно...
2351039![Устройство для выращивания и обработки материалов в космическом пространстве в условиях сверхвысокого вакуума и способ его эксплуатации (варианты) Устройство для выращивания и обработки материалов в космическом пространстве в условиях сверхвысокого вакуума и способ его эксплуатации (варианты)](https://img.patentdb.ru/i/200x200/6aba554d445766e0bf2dd03a6e2cef2d.jpg)
Устройство для выращивания и обработки материалов в космическом пространстве в условиях сверхвысокого вакуума и способ его эксплуатации (варианты)
Изобретения относятся к области космической технологии и могут быть использованы для исследований на низкоорбитальных космических аппаратах. Устройство содержит следообразующий экран (1) со средствами (2) для его ориентации в пространстве. Средства (3) для проведения технологических операций с образцами закреплены в центральной части экрана (1). Эти средства имеют возможность перемещения из герм...
2372259![Солнечный элемент (варианты) Солнечный элемент (варианты)](https://img.patentdb.ru/i/200x200/69f09baa50d031f3a24f26660790f800.jpg)
Солнечный элемент (варианты)
Согласно изобретению между контактными слоями солнечного элемента расположена диодная структура. В диодной структуре последовательно сформированы базовый поглощающий слой полупроводника заданного типа проводимости, многослойная структура из слоев нанообъектов из материала с шириной запрещенной зоны, меньшей, чем у базового материала, и слоев базового материала (спейсеров), разделяющих слои нанооб...
2383083![Способ металлизации поверхности полупроводника или диэлектрика Способ металлизации поверхности полупроводника или диэлектрика](https://img.patentdb.ru/i/200x200/755f8ac4b7ce910aedaf186eade94b2d.jpg)
Способ металлизации поверхности полупроводника или диэлектрика
Изобретение относится к технологиям изготовления полупроводниковых приборов, в частности каталитически активных слоев, и может быть использовано для получения гетероструктур микро- и наноэлектроники, высокоэффективных катализаторов с развитой высокопористой поверхностью носителя, а также для получения новых наноматериалов. Предварительно формируют рабочую газовую среду, содержащую летучий металло...
2443799