Сидорова Людмила Петровна (RU)
Изобретатель Сидорова Людмила Петровна (RU) является автором следующих патентов:
Тонкопленочный полупроводниковый инжекционный лазер на основе многопроходной полупроводниковой гетероструктуры (варианты)
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а более конкретно к лазерам на основе многопроходных p-n гетероструктур. Лазер на основе p-n-многопроходной гетероструктуры состоит из легированной активной области в виде полупроводникового слоя толщиной не мене двух длин Дебая, расположенного между широкозонными слоями n- и p-типов проводимости. Толщина лазерной гетероструктуры не менее 8-10 дл...
2351047Способ изготовления тонкопленочного полупроводникового лазера на основе тонкой многопроходной излучающей p-n-гетероструктуры
Для достижения названного технического результата выполняют следующие технологические операции: выращивают на ростовой подложке тонкую эпитаксиальную лазерную р-n-гетероструктуру с широкозонными эмиттерами, волноводным переизлучающим слоем и тонкой активной областью, в качестве которой могут использоваться квантовые ямы, изготавливают омические контакты на свободной поверхности р-n-гетерострукту...
2381604