Мнацаканов Тигран Тигранович (RU)

Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве мощных кремниевых диодов с улучшенной термостабильностью. Техническим результатом изобретения является получение положительной температурной характеристики прямого напряжения во всем требуемом интервале плотностей прямого тока. Сущность изобретения: в мощном кремниевом диоде с улуч...