Приходько Анна Ивановна (RU)

Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве мощных кремниевых диодов с улучшенной термостабильностью. Техническим результатом изобретения является получение положительной температурной характеристики прямого напряжения во всем требуемом интервале плотностей прямого тока. Сущность изобретения: в мощном кремниевом диоде с улуч...

Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве силовых диодов, тиристоров, IGBT и других приборов полностью прижимной конструкции с уменьшенными и стабильными значениями падения напряжения во включенном состоянии (Von) и теплового сопротивления (Rth). Техническим результатом изобретения является уменьшение и стабильность значени...

Изобретение относится к силовому полупроводниковому приборостроению и может использоваться при создании мощных полностью управляемых гибридных ключей. Техническим результатом изобретения является создание мощного гибридного ключа на силовом запираемом тиристоре с каскодным МОП-драйвером в одном таблеточном корпусе. Сущность изобретения: в силовом полупроводниковом приборе, содержащем силовой запи...

Изобретение относится к области прямого преобразования энергии света в электроэнергию, к гелиоэнергетике, к возобновляемым источникам энергии. Вертикальный многопереходный фотопреобразователь состоит из кристаллов монокристаллического кремния с плоскими диффузионными p-n-переходами, расположенных стопой последовательно один над другим с образованием светоприемной поверхности с чередующимися р- и...

Изобретение относится к областям полупроводниковой фотоэлектроники, фотоэлектроэнергетики, к возобновляемым источникам энергии, к преобразователям энергии лазерного излучения. Техническим результатом изобретения является увеличение процента поглощения света светоприемной поверхностью и увеличение к.п.д. фотоэлектронного элемента. Сущность изобретения: фотоэлектронный элемент, состоящий из криста...